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Hunan Jingtan Automation Equipment Co., LTD.
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Apparecchiature di deposizione a forno CVD per la preparazione di film sottile di materiale semiconduttore

Dettagli del prodotto

Marca: Jingtan

Certificazione: CE

Termini di pagamento e spedizione

Quantità di ordine minimo: 1 set

Prezzo: USD12,000-100,000/SET

Imballaggi particolari: Imballaggio in cassa di legno

Tempi di consegna: 60 giorni

Termini di pagamento: L/C/T/t

Capacità di alimentazione: 30 pezzi/pezzi per quarto

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Specificità
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Apparecchiature di deposizione per materiali semiconduttori

,

Forno CVD per materiale semiconduttore

Luogo di origine:
Hunan, Cina
Tipo:
forno ad induzione
Utilizzatori:
forno di deposizione
Ispezione video di uscita:
Fornito
Rapporto di prova della macchina:
Fornito
Componenti fondamentali:
PLC
brand name:
Jingtan
Voltaggio:
380
Peso (T):
2 T
Potenza (kW):
220
Punti chiave di vendita:
Prezzo competitivo
Temperatura di progettazione (°C):
1250-2200
Temperatura inquietante:
900-1200°C
Tasso di aumento della pressione (Pa/h):
0.67Pa/h ((150Pa/24h)
Metodo di riscaldamento:
resistenza/induzione
Atmosfera lavorativa:
vuoto/CH4/C3H6/H2/N2/Ar
Tipo di forno:
Quadratura/rotondaVerticale/orizzontale
Modalità di raffreddamento del forno:
raffreddamento dell'acqua a scatola di forno
Strumento a infrarossi:
mono/doppia colorimetrica
Uniformità della temperatura:
± 5
Valore limite di vuoto (Pa):
1-100
Tipo di commercializzazione:
Prodotto ordinario
Garanzia dei componenti principali:
1 anno
Industria applicabile:
altri, semiconduttori
Luogo di origine:
Hunan, Cina
Tipo:
forno ad induzione
Utilizzatori:
forno di deposizione
Ispezione video di uscita:
Fornito
Rapporto di prova della macchina:
Fornito
Componenti fondamentali:
PLC
brand name:
Jingtan
Voltaggio:
380
Peso (T):
2 T
Potenza (kW):
220
Punti chiave di vendita:
Prezzo competitivo
Temperatura di progettazione (°C):
1250-2200
Temperatura inquietante:
900-1200°C
Tasso di aumento della pressione (Pa/h):
0.67Pa/h ((150Pa/24h)
Metodo di riscaldamento:
resistenza/induzione
Atmosfera lavorativa:
vuoto/CH4/C3H6/H2/N2/Ar
Tipo di forno:
Quadratura/rotondaVerticale/orizzontale
Modalità di raffreddamento del forno:
raffreddamento dell'acqua a scatola di forno
Strumento a infrarossi:
mono/doppia colorimetrica
Uniformità della temperatura:
± 5
Valore limite di vuoto (Pa):
1-100
Tipo di commercializzazione:
Prodotto ordinario
Garanzia dei componenti principali:
1 anno
Industria applicabile:
altri, semiconduttori
Descrizione
Apparecchiature di deposizione a forno CVD per la preparazione di film sottile di materiale semiconduttore
Specificità:
Fornace a deposizione a vuoto:
Utilizzato principalmente per la preparazione di materiali compositi carbonio-carbonio e il forno di deposizione è utilizzato principalmente per la preparazione di rivestimento pirolitico di carbonio sulla superficie della grafite,dispositivi semiconduttori e materiali di spazzolatura resistenti al calore.
Parametro/numero modello
JT-0305-C
JT-0505-C
JT-0608-C
JT-0608-C
JT-0812-C
JT-1120-C
JT-1218-C
JT-1520-C
Dimensione della zona di lavoro
φ×H(mm)
300×500
500×500
600×800
600×1200
800×1200
1100×2000
1200×1800
1500×2000
Temperatura massima
(°C)
2300
2300
2300
2300
2300
2300
2300
2300
Uniformità di temperatura ((°C)
± 5
± 5
± 5/± 7.5
±7,5/±10
±7,5/±10
±10/±15
±10/±15
± 15 / ± 20
Grado di vuoto limite ((Pa)
1-100
1-100
1-100
1-100
1-100
1-100
1-100
1-100
Grado di vuoto limite ((Pa)
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
Metodo di riscaldamento
Resistenza/induzione
Resistenza/induzione
Resistenza/induzione
Resistenza/induzione
Resistenza/induzione
Resistenza/induzione
Resistenza/induzione
Resistenza/induzione
Apparecchiature di deposizione a forno CVD per la preparazione di film sottile di materiale semiconduttore 0
Temperatura di progetto
1250°C/1650°C/1800°C/2200°C
Temperatura comune
900~1200°C
Grado di vuoto
< 50 Pa
Tasso di aumento della pressione
6.67pA/h (o 150Pa/24h) allo stato freddo del forno vuoto
Modalità di riscaldamento
riscaldamento a resistenza al grafite o riscaldamento per induzione, controllo della temperatura indipendente, buona uniformità della temperatura
Medio atmosferico
vuoto /CH4/C3H6/H2/N2/Ar
Apparecchiature di deposizione a forno CVD per la preparazione di film sottile di materiale semiconduttore 1
Modalità di controllo del gas
controllo del misuratore di flusso di massa, percorso di gas multicanale, campo di flusso uniforme, nessun angolo morto di deposizione, buon effetto di deposizione;sistema di trattamento dei gas di scarico multi-fase ed efficiente, rispettoso dell'ambiente,facile da pulire
Tipo di forno
struttura quadrata, rotonda, verticale o orizzontale (progettazione non standard), camera di deposizione completamente chiusa, buon effetto di tenuta,
una forte capacità di prevenzione dell'inquinamento;
Modalità di raffreddamento del forno
sistema di raffreddamento rapido a circolazione esterna, tempo di raffreddamento breve, alta produzione
efficienza;
Apparecchiature di deposizione a forno CVD per la preparazione di film sottile di materiale semiconduttore 2
Forma della struttura
Scarico orizzontale laterale, scarico verticale su/sotto
Modalità di blocco
manuale/automatico
Materiale della conchiglia
acciaio inossidabile interno/tutto acciaio inossidabile
Materiale isolante
Feltro di carbonio/feltro di grafite/feltro di fibra di carbonio
Strumento a infrarossi
monocolorimetrico/doppio colorimetrico
Fornitore di alimentazione
KGPS/IGBT ((solo per riscaldamento a media frequenza)
Parametro del prodotto:
 
 
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